明年DRAM Q1供貨仍吃緊
2017-12-19 15:51:18
今年DRAM市場成長迅速，南亞科技預(yù)期2017年第四季及2018年第一季供貨將持續(xù)吃緊，DRAM平均銷售單價走勢穩(wěn)健;展望2018，預(yù)期明年整體DRAM市場供需均衡且健康，市場將持續(xù)維持穩(wěn)健。
隨著人工智能、智能汽車、物聯(lián)網(wǎng)、高速運算等應(yīng)用，促進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更多元發(fā)展，DRAM成為電子產(chǎn)品的關(guān)鍵組件，帶動今年內(nèi)存市場強勁成長逾50%。
展望2018年，南亞科預(yù)期DRAM資本支出主要用于先進制程轉(zhuǎn)換及維持原有月產(chǎn)能，DRAM位年成長率在20%~25%，預(yù)估2018年需求將較2017年成長23%，預(yù)期2018年DRAM市場將持續(xù)維持穩(wěn)健的態(tài)勢。
2017年全球半導(dǎo)體市場預(yù)計大幅成長20%，規(guī)模達4,111億美元，內(nèi)存市場年成長更高達57%，規(guī)模達1,260億美元，2017年內(nèi)存市場營收占半導(dǎo)體市場31%。
內(nèi)存市場于2017年突破1200億美元規(guī)模，預(yù)估2017年DRAM市場成長率67%，產(chǎn)值685億美元，預(yù)估2017年NAND Flash市場成長率51%，產(chǎn)值535億美元，DRAM加NAND占內(nèi)存市場總產(chǎn)值97%。
就內(nèi)存產(chǎn)業(yè)資本支出來看，NAND資本支出持續(xù)大幅提升，以作為擴充3D NAND產(chǎn)能所需，相對而言，DRAM資本支出主要用于先進制程轉(zhuǎn)換及維持原有月產(chǎn)能;南亞科預(yù)估，2018年DRAM位年成長率20%~25%， 2018年下半起將有新增DRAM產(chǎn)能投入量產(chǎn)，NAND位年成長率則達40%~45% ;預(yù)估2018年全球DRAM平均月產(chǎn)能將由2017年113.3萬片微幅提升至2018年121萬片，預(yù)期2018年DRAM市場供需均衡且健康。
本文關(guān)鍵詞：
NAND Flash
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