美光建設(shè)新廠 研發(fā)全新技術(shù)
2017-10-25 14:32:05
此前，由于美光科技DRAM大廠臺(tái)灣桃園廠區(qū)發(fā)生氮?dú)庑孤妒录?，?dǎo)致5000至1萬片的晶圓直接報(bào)廢，4萬片晶圓則被視為次級(jí)品或者報(bào)廢品。美光迅速解決并恢復(fù)正常生產(chǎn)運(yùn)作，對(duì)之后的產(chǎn)能并沒有產(chǎn)生太大的影響。
8月14日，美光在總部舉辦活動(dòng)慶祝新廠建設(shè)成功。據(jù)了解，這個(gè)工廠主要用于研發(fā)全新內(nèi)存以及存儲(chǔ)技術(shù)，美光技術(shù)開發(fā)執(zhí)行副總裁ScottDeBoer表示，美光的主要DRAM技術(shù)研發(fā)中心已經(jīng)轉(zhuǎn)入其日本廣島的制造工廠，未來將加速研發(fā)3D NAND以及DRAM全新技術(shù)。
由于目前DRAM市場(chǎng)正處于漲潮階段，美光預(yù)計(jì)2017年會(huì)計(jì)年度第四季營(yíng)收同比增長(zhǎng)91%，高達(dá)61.38億美元，且對(duì)于2017年底營(yíng)收的展望遠(yuǎn)超市場(chǎng)預(yù)期，預(yù)估為63億美元左右。美光執(zhí)行長(zhǎng)SanjayMehrotra表示，美光1X納米DRAM和64層3D NAND的良率將于今年年底達(dá)到穩(wěn)定階段，從產(chǎn)業(yè)目前情況來看，今年年底前，DRAM以及NAND Flash都將供不應(yīng)求。
本文關(guān)鍵詞：
DRAM
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