雖然很多單片機(jī)內(nèi)部集成SRAM空間，但是在一些需要大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的場(chǎng)合，SRAM仍然不夠用，需要外擴(kuò)SRAM芯片，來(lái)擴(kuò)展處理器的性能。
 
IS61WV25616B芯片的訪問時(shí)間為8到12ns，典型功耗為85mW，低功耗模式最低僅為0.6mW，常見的供電電壓VCC為3.3V，靜態(tài)操作方式，不需要自刷新，這點(diǎn)和SDRAM芯片不同。輸出也是三態(tài)輸出，有TSOP-32，TSOP44和BGA-36等多種封裝。CE引腳是低電平有效。
 
SRAM芯片使用時(shí)的注意事項(xiàng)：SRAM芯片一般使用異步接口;電源需要加去耦電容，一般100nf取值，靠近芯片引腳放置;SRAM芯片國(guó)內(nèi)也有很多廠家在出售，性能還不錯(cuò)，可以考慮國(guó)產(chǎn)芯片成本更低。
 
國(guó)產(chǎn)SRAM芯片廠家偉凌創(chuàng)芯EMI504WF16可替換IS61WV25616B，此款EMI504WF16異步快速SRAM芯片位寬為256K*16K字。使用16條公共輸入和輸出線，并有一個(gè)輸出使能引腳，其運(yùn)行速度比讀取周期中的地址訪問時(shí)間快。封裝采用TSOP44 2封裝，適用于高密度高速系統(tǒng)應(yīng)用。更多產(chǎn)品詳情請(qǐng)洽代理英尚微。
 

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