瑞薩電子已開發(fā)出用于嵌入式自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲器(STT-MRAM)的電路技術(shù)，該芯片具有快速讀寫操作，采用22納米工藝制造。芯片包括一個(gè)32兆位(Mbit)嵌入式MRAM存儲單元陣列，可在150℃的最高結(jié)溫下實(shí)現(xiàn)5.9納秒(ns)的隨機(jī)讀取訪問，以及5.8兆字節(jié)/秒的寫入吞吐量（MB/秒）。
 
隨著物聯(lián)網(wǎng)和人工智能技術(shù)的不斷進(jìn)步，端點(diǎn)設(shè)備中使用的微控制器單元(MCU)有望提供比以往更高的性能，因此需要用更精細(xì)的工藝節(jié)點(diǎn)制造。與在FEOL中制造的閃存相比，采用BEOL制造的MRAM對于亞22nm工藝具有優(yōu)勢，因?yàn)樗c現(xiàn)有的CMOS邏輯工藝技術(shù)兼容，并且需要更少的額外掩模層。但是，MRAM的讀取余量比閃存小，這會(huì)降低讀取速度。CPU工作頻率與非易失性存儲器的讀取頻率之間的較大差距也是一個(gè)挑戰(zhàn)，因?yàn)樗鼤?huì)降低MCU性能。
 
MRAM還可以實(shí)現(xiàn)比閃存更短的寫入時(shí)間，因?yàn)樗趯懭氩僮髦安恍枰脸僮?。但是需要進(jìn)一步提高速度，以縮短端點(diǎn)設(shè)備所需的無線(OTA)更新的系統(tǒng)停機(jī)時(shí)間，并降低最終產(chǎn)品制造商為MCU編寫控制代碼的成本。
 
為了應(yīng)對這些挑戰(zhàn)并響應(yīng)市場對更高32位MCU性能的需求，瑞薩電子開發(fā)了以下新電路技術(shù)，以在MRAM中實(shí)現(xiàn)更快的讀寫操作。


本文關(guān)鍵詞：32位MCU,MRAM

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