國(guó)產(chǎn)SRAM芯片廠商偉凌創(chuàng)芯EMI7256器件是256Kb串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，內(nèi)部組織為32K字，每個(gè)字8位。最大時(shí)鐘20MHz，采用最先進(jìn)的CMOS技術(shù)設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。該器件可在-40℃至+85℃（工業(yè)級(jí)）的溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。封裝采用TSSOP-8和SOP-8。代理商英尚微電子支持提供樣品測(cè)試及相關(guān)技術(shù)支持。
 
EMI7256該器件采用單片選(/CS)輸入進(jìn)行操作，并通過(guò)與SPI兼容的簡(jiǎn)單串行接口進(jìn)行訪問(wèn)。單個(gè)數(shù)據(jù)輸入和數(shù)據(jù)輸出線與時(shí)鐘一起用于訪問(wèn)該設(shè)備內(nèi)的數(shù)據(jù)。該器件包括一個(gè)/HOLD引腳，允許在不取消選擇器件的情況下暫停與器件的通信。暫停時(shí)，除/CS引腳外的輸入轉(zhuǎn)換將被忽略。
   
特征：
·最大時(shí)鐘20MHz
·SPI兼容接口（模式0和模式3）
·低功耗CMOS技術(shù)：
-工作電流：最大。2mA@1MHz
-待機(jī)電流：典型值。4uA@+25℃
·32.768x8位組織
·32字節(jié)頁(yè)面
·暫停通訊的保持針
·順序讀/寫
·靈活的操作模式
-字節(jié)讀寫（BYTE）
-頁(yè)面模式（PAGE）
-Pagestart順序模式（PSEQ）
-虛擬芯片模式（VRTM）
·無(wú)限讀/寫內(nèi)存陣列
·溫度范圍
-20℃至+70℃（消費(fèi)級(jí)）
-40℃至+85℃（工業(yè)級(jí)）
·符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的封裝
 
安徽偉凌創(chuàng)芯微電子有限責(zé)任公司是一家以市場(chǎng)為導(dǎo)向的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司。專注SRAM存儲(chǔ)、顯示驅(qū)動(dòng)，接口轉(zhuǎn)換芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)及銷售。公司擁有國(guó)際知名設(shè)計(jì)專家及工作經(jīng)驗(yàn)豐富工程師研發(fā)團(tuán)隊(duì)，與國(guó)內(nèi)知名前后道生產(chǎn)合作伙伴緊密合作。深挖客戶應(yīng)用，依托強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力，融合世界前沿的技術(shù)理念快速響應(yīng)客戶的變化需求，為行業(yè)客戶提供高品質(zhì)、低成本，供貨持續(xù)穩(wěn)定的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的集成電路產(chǎn)品，產(chǎn)品領(lǐng)域涵蓋智能感知、網(wǎng)絡(luò)可視化、信息化、信息安全、大數(shù)據(jù)分析、智能語(yǔ)音、應(yīng)用展現(xiàn)、特種通信和智能建筑等。


本文關(guān)鍵詞：SPI SRAM,SRAM,EMI7256

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