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IS61LV25616國(guó)產(chǎn)SRAM芯片替換

2020-03-17 10:24:01

                     IS61LV25616國(guó)產(chǎn)SRAM芯片替換XM8A25616V33A
    2018年中國(guó)進(jìn)口了超過(guò)900億美元的存儲(chǔ)芯片,這其中三星電子、SK海力士和美光電子三分天下,而國(guó)內(nèi)廠商的份額為——0%。DRAM憑借體積小、價(jià)格低、集成度高、功耗低、讀寫(xiě)速度快等特點(diǎn),一直是適用于內(nèi)存最好的介質(zhì)。幾乎占據(jù)了中國(guó)存儲(chǔ)的半壁江山,特別是更細(xì)分的存儲(chǔ)市場(chǎng)如SRAM芯片,pSRAM芯片等,幾乎被ISSI,cypress長(zhǎng)年占據(jù)高達(dá)80%以上的市場(chǎng)份額,隨著中國(guó)市場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化的要求,越來(lái)越多的工控廠商,國(guó)企單位針對(duì)IS61LV25616芯片要求替換為國(guó)產(chǎn)化的SRAM芯片的趨勢(shì)越來(lái)越明顯。

      英尚微電子推出一款針對(duì)IS61LV25616芯片進(jìn)行兼容替換的XRAM存儲(chǔ)器芯片,型號(hào)XM8A25616V33A,容量4Mbit (256K×16/512K×8) Asynchronous XRAM,工作電壓采用寬電壓 2.2 V to 3.6 V, 10/12 ns的高速讀取速度,XM8A25616V33A提供二個(gè)封裝選項(xiàng):48球FBGA和44管腳TSOP (II),客戶(hù)可根據(jù)自身的應(yīng)用需求來(lái)選擇最適合的封裝方案,XM8A25616V33A結(jié)合先進(jìn)工藝結(jié)合XRAM存儲(chǔ)器特有的XRAM免刷新專(zhuān)利技術(shù),在大容量,高速性能和高可靠性方面完全可以匹敵同類(lèi)SRAM,同時(shí)具有較低功耗和更低的成本,并且與所有同類(lèi)型SRAM產(chǎn)品硬件完全兼容,可以稱(chēng)為國(guó)產(chǎn)SRAM芯片,滿(mǎn)足各種應(yīng)用系統(tǒng)對(duì)高性能和低成本的要求。

XM8A系列型號(hào)表
 
Density PartNumber BW bit Vdd Speed Package
64Mb XM8A04M16V33A X16 3.3V 10/12ns TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48)
64Mb XM8A08M08V33A X8 3.3V 10/12ns TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48)
32Mb XM8A02M16V33A X16 3.3V 10/12ns TSOP1(48)/BGA(48)
32Mb XM8A04M08V33A X8 3.3V 10/12ns TSOP1(48)/BGA(48)
16Mb XM8A01M16V33A X16 3.3V 10/12ns TSOP1(48)/BGA(48)
16Mb XM8A02M08V33A X8 3.3V 10/12ns TSOP1(48)/TSOP2(44)/BGA(48)
8Mb XM8A51216V33A X16 3.3V 10/12ns TSOP2(44)/TSOP1(48)
8Mb XM8A01M08V33A X8 3.3V 10/12ns TSOP2(44)/TSOP1(48)
4Mb XM8A25616V33A X16 3.3V 10/12ns TSOP2(44)/BGA(48)
4Mb XM8A51208V33A X8 3.3V 10/12ns TSOP2(44)/BGA(48)

本文關(guān)鍵詞:國(guó)產(chǎn)SRAM

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