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安全性高可靠性耐擦寫MRAM存儲器

2018-06-11 14:18:07

選用存儲器時主要考慮的指標包括安全性、使用壽命、讀寫速度、產品功耗和存儲容量等。MRAM(鐵電存儲器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機存取特性,以及高速讀寫/高讀寫耐久性(高達1014次)和抗輻射特性,非常適合許多工業(yè)類和醫(yī)療類應用。

MRAM使得設計產品無需配備后備電池和掉電保護電路。單芯片MRAM解決方案能夠使產品體積做得更小,減少維護和保養(yǎng)成本,滿足環(huán)保、低功耗等要求。其高速讀寫/高讀寫耐久性能夠滿足對患者信息數據實時頻繁記錄的要求。其抗輻射性則非常適用于需要對產品進行射線消毒的領域。這些優(yōu)點都非常適合便攜式醫(yī)療器械應用。

對于一些工業(yè)和通信類應用,工程師往往會選用SRAM加EEPROM及電容的存儲方案,靠電容維持SRAM運作,然后將SRAM的數據轉存到EEPROM中。這樣,相對單一的鐵電存儲器方案,系統的復雜度增加了很多,而且這也存在一定的風險。選用SRAM加電池來存儲,同樣沒有多少優(yōu)勢,而且電池也存在一定使用壽命;在野外等工作環(huán)境比較惡劣的情況下,電池還有可能會腐爛。而鐵電存儲器只要一顆就可以解決,并且可以減少不必要的風險。
  
在醫(yī)療領域,MRAM的最大優(yōu)點在于它的抗輻射性。而對于工業(yè)領域應用(比如電表和流量計應用),它們對數據的記錄非常頻繁(ms級),MRAM的優(yōu)點在于高耐久性。對于汽車應用,考慮到駕車的安全性,在停車前的15s或30s需要將汽車的行駛狀況記錄下來。如果存儲器存儲速度不夠快,最后的關鍵數據可能丟失。鐵電存儲器能夠很好地滿足這類應用。

很多工程師在設計產品時需要用到很大容量的存儲器,但是如果MRAM容量太大導致成本無法接受的話,有一種解決方法是采用小容量的MRAM存儲關鍵數據,將不太重要的數據存儲到FLASH或EEPROM中,這樣既解決了成本問題,安全性又能得到保障。


本文關鍵詞:MRAM
 
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