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Everspin MR0A16AYS35 并行1Mb非易發(fā)性MRAM芯片

2018-06-06 15:04:04


自20世紀90年代以來,MRAM或磁阻隨機存取存儲器一直在發(fā)展中。 基于90年代以來在硬盤驅(qū)動器行業(yè)使用的相同磁性技術(shù),它是一種新興技術(shù)之一,已被認為是下一代存儲器的替代品,可取代DRAM和NAND閃存等半導(dǎo)體行業(yè)的中堅力量, 隨著行業(yè)向小型節(jié)點轉(zhuǎn)移,這些企業(yè)正面臨嚴峻的規(guī)?;魬?zhàn)。

總部位于亞利桑那州錢德勒的Everspinn科技有限公司是全球領(lǐng)先的設(shè)計, 制造嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋轉(zhuǎn)移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的生產(chǎn)商,自從Everspin第一款產(chǎn)品進入市場,由于MRAM可以保持數(shù)據(jù)持久性和完整性、低功耗等特性,在應(yīng)用程序設(shè)計中起到了安全性至關(guān)重要的作用,現(xiàn)在在數(shù)據(jù)中心、云存儲、能源、工業(yè)、汽車和運輸市場應(yīng)用超過 7000萬 MRAM 和 MRAM 產(chǎn)品, Everspin 科技公司為世界上 MRAM 用戶建立了最強大、最迅速的基礎(chǔ)。

Everspin Technologies MR0A16AYS35為1,048,576位磁阻隨機存取存儲器 (MRAM)。MR0A16AYS35擁有35ns的讀/寫周期(無寫入延遲),以及出色的耐讀/寫能力。數(shù)據(jù)保持期長達20年以上而不會丟失,并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護,以防止在非工作電壓期間寫入。對于必須快速、永久地存儲和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用,MR0A16AYS35在較為寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。溫度范圍0至+70°C),用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案,并消除了組裝電池以及可靠性問題和不利因素

?如下為1Mb并口MRAM型號表:
Density
Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
1Mb 64Kx16 MR0A16AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 64Kx16 MR0A16ACYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AVYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +105℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AMA35 48-BGA 3.3V 0 ℃to +70℃
1Mb 64Kx16 MR0A16ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AVMA35 48-BGA 3.3V -40 to +105C
1Mb 64Kx16 MR0A16AMYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +125℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BCYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0D08BMA45 48-BGA 3.3VDD, 1.8IO 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0DL08BMA45 48-BGA 2.7VDD min, 1.8IO 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BCMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃

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