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Everspin 16位并口并行MRAM存儲(chǔ)芯片MR4A16BCMA35

2018-05-21 11:33:18


Everspin MR4A16BCMA35 16Mb并行MRAM具有兼容SRAM的35ns讀/寫(xiě)周期,并擁有出色耐久性。Everspin MR4A16BCMA35為1024字 x16位的16,777,216位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (MRAM)。 
Everspin MR4A16BCMA35由1,048,576字 x 16位構(gòu)成。對(duì)于這款并行MRAM來(lái)說(shuō),數(shù)據(jù)保持期長(zhǎng)達(dá)20年以上而不會(huì)丟失,并會(huì)在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動(dòng)提供保護(hù),以防止在非工作電壓期間寫(xiě)入。并行MRAM是大多數(shù)手機(jī) 、 移動(dòng)設(shè)備、膝上機(jī)、PC等數(shù)字產(chǎn)品的存儲(chǔ)器的潛在替代產(chǎn)品。從MRAM芯片技術(shù)的特性上來(lái)看,可以預(yù)計(jì)它將能解決包括計(jì)算機(jī)或手機(jī)啟動(dòng)慢、數(shù)據(jù)丟失、數(shù)據(jù)裝載緩慢、電池壽命短等問(wèn)題,明顯改變消費(fèi)者使用電子沒(méi)備的方式。
 
并行MRAM特性
 
+3.3V電源
35 ns快速讀/寫(xiě)周期
SRAM兼容時(shí)序
出色的耐讀/寫(xiě)能力
在工作溫度范圍內(nèi)數(shù)據(jù)保持期長(zhǎng)達(dá)20年以上而不會(huì)丟失
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的小外形BGA和TSOP封裝
 
并行mram優(yōu)勢(shì)
 
一個(gè)存儲(chǔ)器即可替代系統(tǒng)中的閃存、SRAM、EEPROM和BBSRAM,獲得更簡(jiǎn)單、高效的設(shè)計(jì)
替代電池供電的SRAM,提高可靠性


本文關(guān)鍵詞:并行MRAM
 
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