隨著嵌入式系統(tǒng)不斷挑戰(zhàn)可靠性和耐用性的極限，內(nèi)存技術(shù)必須跟上極端操作環(huán)境的步伐，最新的高可靠性PERSYST MRAM為設(shè)計(jì)人員提供了一種穩(wěn)定、快速、可擴(kuò)展的靜態(tài)RAM或NOR flash替代方案，確保在汽車(chē)、航空航天和工業(yè)應(yīng)用中取得成功。
 
  Everspin PERSYST MRAM因其高耐用性和可靠性而被廣泛應(yīng)用于關(guān)鍵存儲(chǔ)領(lǐng)域。作為其溫度范圍內(nèi)最快的MRAM，最新的PERSYST擴(kuò)展提供了下一代嵌入式系統(tǒng)所需的性能和耐用性。EM064LX HR和EM128LX HR的工作溫度范圍為-40℃至+125℃，符合AEC-Q100 1級(jí)汽車(chē)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)。
 
  64Mb和128Mb的容量–針對(duì)關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)進(jìn)行了優(yōu)化。
  四通道SPI接口–行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)兼容性，易于集成。
  與NOR閃存相比，寫(xiě)入速度更快–降低實(shí)時(shí)應(yīng)用的系統(tǒng)開(kāi)銷(xiāo)。
  更簡(jiǎn)單的架構(gòu)–無(wú)需擦除，提高了系統(tǒng)利用率。
  EM064LX和EM128LX HR的工程樣品將在2025年6月，樣品可洽Everspin 代理英尚微電子。

本文關(guān)鍵詞：MRAM

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