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一圖看懂STT-MRAM與SRAM的優(yōu)劣勢

2022-12-30 10:07:54

非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器STT-MRAM可以像SRAM高速、高耐久性、單字節(jié)訪問一樣的工作 ,也可以如ROM/Flash存儲(chǔ)器一樣不易揮發(fā),保留時(shí)間長工作。
 
MRAM優(yōu)勢
•無需電池
→ 拆卸蓄電池、蓄電池插座、Vcc監(jiān)視器電路
→ 無需維護(hù)電池,降低質(zhì)量成本
→ 簡單的SMT工藝
→ 更長的保留時(shí)間;電池7年,MRAM 10年
 
  SRAM Winner STT-MRAM
寫入速度 55ns~70ns = 35ns~300ns
電池要求 YES NO
保留時(shí)間 7年(電池壽命) 10年


本文關(guān)鍵詞:STT-MRAM,SRAM,MRAM

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