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EMI508NF16VM-10I低功耗SRAM芯片PIN2PIN替代IS61WV10248BLL-10TLI

2022-03-22 11:02:50

快速低功耗異步SRAM這些器件通常在低于25ns 的區(qū)域內(nèi)運行。它們通常用于緩沖區(qū)和高速緩存應(yīng)用程序。偉凌創(chuàng)芯提供的快速SRAM,以提供將快速異步 SRAM 的訪問時間與獨特的超低功耗睡眠模式相結(jié)合的設(shè)備。
 
IS61WV10248BLL-10TLI是一款容量8M,位寬為1Mb*8bit的高速率低功耗靜態(tài)隨機存儲器。采用高性能CMOS工藝制造。高度可靠的工藝水準(zhǔn)再加創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù),造就了這款高性能、低功耗的器件。使用此款SRAM芯片的片選引腳和輸出使能引腳,可以簡單實現(xiàn)存儲器擴展。
 
我司英尚微介紹一款可用于替換IS61WV10248BLL-10TLI的國產(chǎn)SRAM芯片,國產(chǎn)SRAM芯片廠家偉凌創(chuàng)芯(EMI)EMI508NL16VM-55I采用EMI先進的全CMOS工藝技術(shù)制造。支持低數(shù)據(jù)保留電壓1.5V(Min.),用于以低數(shù)據(jù)保留電流進行電池備份操作。容量為8Mbit,位寬512K*16,電壓2.7V~3.6V,支持工業(yè)溫度范圍和芯片級封裝,以實現(xiàn)系統(tǒng)設(shè)計的用戶靈活性。采用標(biāo)準(zhǔn)44TSOP2封裝形式。代理商英尚微電子提供免費樣品測試及技術(shù)支持。

安徽偉凌創(chuàng)芯(EMI)公司是專注存儲SRAM/PSRAM芯片、顯示驅(qū)動,接口轉(zhuǎn)換芯片設(shè)計、生產(chǎn)及銷售的塢無晶圓半導(dǎo)體公司。為行業(yè)客戶提供高品質(zhì)、低成本,供貨持續(xù)穩(wěn)定的自主知識產(chǎn)權(quán)的集成電路產(chǎn)品,產(chǎn)品領(lǐng)域涵蓋智能感知、網(wǎng)絡(luò)可視化、信息化、信息安全、大數(shù)據(jù)分析、智能語音、應(yīng)用展現(xiàn)、特種通信和智能建筑等。

本文關(guān)鍵詞:SRAM芯片,IS61WV10248BLL


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深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商,十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理:VTI、NETSOL、JSC濟州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。

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