FRAM（鐵電RAM）是一種寫(xiě)入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器（如 EEPROM、閃存）相比，鐵電存儲(chǔ)器不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫(xiě)耐久性、更快的寫(xiě)入速度和更低的功耗。鐵電存儲(chǔ)器是一種具有高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度，功耗低等優(yōu)點(diǎn)的高性能和高可靠性存儲(chǔ)器。
 
本篇文章鐵電存儲(chǔ)器代理商英尚微電子介紹關(guān)于使用其他存儲(chǔ)芯片的常見(jiàn)問(wèn)題和解決方案。
 
狀態(tài)：使用EEPROM
問(wèn)題：由于寫(xiě)耐久性規(guī)范的限制，難以更頻繁地記錄數(shù)據(jù)
解決方案：使用FRAM保證10萬(wàn)億讀/寫(xiě)周期
 
狀態(tài)：使用EEPROM
問(wèn)題：有突發(fā)事故或斷電寫(xiě)入數(shù)據(jù)丟失的風(fēng)險(xiǎn)
解決方案：使用具有快速寫(xiě)入功能的FRAM，以保護(hù)斷電寫(xiě)入數(shù)據(jù)
 
狀態(tài)：使用SRAM
問(wèn)題：難以取出電池以保留數(shù)據(jù)
解決方案：使用FRAM作為非易失性存儲(chǔ)器
 
總之，鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品為客戶(hù)帶來(lái)了諸如減少開(kāi)發(fā)負(fù)擔(dān)、增強(qiáng)客戶(hù)產(chǎn)品性能和降低成本等好處。
 
本文關(guān)鍵詞：鐵電存儲(chǔ)器,FRAM,鐵電RAM

上一篇文章：上海巨微MG123低成本藍(lán)牙廣播發(fā)射芯片

深圳市英尚微電子有限公司是一家專(zhuān)業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來(lái)專(zhuān)業(yè)致力代理分銷(xiāo)存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性?xún)r(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國(guó)區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。