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國產(chǎn)SRAM芯片EMI502NL16VM可替換IS61WV12816EDBLL

2021-04-22 09:44:12

EMI502NL16VM系列由EMI先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造。這些系列支持工業(yè)溫度范圍和芯片級封裝,以使用戶靈活地進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)。該系列還支持低數(shù)據(jù)保持電壓,以低數(shù)據(jù)保持電流實(shí)現(xiàn)電池備份操作。此款國產(chǎn)SRAM芯片可替換ISSI IS61WV12816EDBLL。EMI代理支持提供技術(shù)支持及樣品測試。
 
特征
●工藝技術(shù):全CMOS
●位寬:128Kx16位
●電源電壓:2.3V?3.6V
●低數(shù)據(jù)保持電壓:1.5V(最小值)
●三態(tài)輸出和TTL兼容
●標(biāo)準(zhǔn)44TSOP2,48BGA
●工業(yè)操作溫度
 
引腳封裝
 
 
ISSI IS6164WV12816EDBLL是一種高速的2,097,152位靜態(tài)RAM,以131,072個(gè)字乘16位組織。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的過程與創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)相結(jié)合,可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。IS61WV12816EDBLL封裝在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的44引腳TSOP-II和48引腳BGA中。
 
特征
CMOS待機(jī)
•單電源
-Vdd2.4V至3.6V(10ns)
-Vdd3.3V±10%(8ns)
•完全靜態(tài)操作:無需時(shí)鐘或刷新
•三態(tài)輸出
•高低字節(jié)數(shù)據(jù)控制
•工業(yè)和汽車溫度支持
•無鉛可用
•錯(cuò)誤檢測和錯(cuò)誤糾正
 
引腳封裝
 
 

本文關(guān)鍵詞:EMI502NL16VM   國產(chǎn)芯片  


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